DACMI80N1200-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DACMI80N1200-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Електричний монтаж пригвинчуваний
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Поляризація польовий
Робоча температура -55...150°C
Напруга затвор-джерело -10...20В
Опір в стані провідності 34мОм
Струм стока 50А
Струм стоку в імпульсі 250А
Потужність розсіювання 460Вт
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Технологія SiC
Корпус SOT227B
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat