Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
| Виробник |
DACO Semiconductor |
| Технологія |
SiC |
| Корпус |
SOT227B |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Поляризація |
польовий |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |
| Робоча температура |
-55...150°C |
| Напруга затвор-джерело |
-5...20В |
| Опір в стані провідності |
20мОм |
| Струм стока |
110А |
| Струм стоку в імпульсі |
400А |
| Напруга сток-джерело |
1,2кВ |
| Потужність розсіювання |
580Вт |