DACMH160N1200-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DACMH160N1200-DCO
Опис

Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Робоча температура -55...150°C
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Напруга затвор-джерело -5...20В
Опір в стані провідності 20мОм
Струм стока 110А
Струм стоку в імпульсі 400А
Потужність розсіювання 580Вт
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Корпус HB9434
Технологія SiC
Топологія півмісток MOSFET
Поляризація польовий
Електричний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat