CSD25404Q3T - Транзистори з каналом P SMD

CSD25404Q3T
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -60А
Потужність розсіювання 96Вт
Корпус VSON-CLIP8
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 5,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 10,9нКл
Розміри 3,3x3,3мм
Технологія NexFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat