CSD19531Q5AT - Транзистори з каналом N SMD

CSD19531Q5AT
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія NexFET™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус VSONP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5,3мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 37нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Розміри 5x6мм
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat