CSD17581Q3AT - Транзистори з каналом N SMD

CSD17581Q3AT
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 60А
Потужність розсіювання 63Вт
Корпус VSONP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,9мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 20нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Розміри 3,3x3,3мм
Технологія NexFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat