BXP4N60D - Транзистори з каналом N SMD

BXP4N60D
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

Характеристики
Виробник BRIDGELUX
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 2,5А
Струм стоку в імпульсі 16А
Потужність розсіювання 77Вт
Корпус TO252
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 2,5Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 13,2нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat