BSZ900N15NS3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSZ900N15NS3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 150В
Струм стока 13А
Потужність розсіювання 38Вт
Корпус PG-TSDSON-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 90мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat