BSS306NH6327XTSA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSS306NH6327XTSA1
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія OptiMOS™ 2
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стока 2,3А
Опір в стані провідності 93мОм
Потужність розсіювання 0,5Вт
Напруга сток-джерело 30В
Корпус SOT23
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat