BSP324H6327XTSA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSP324H6327XTSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 0,17А; 1,8Вт; SOT223

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SIPMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 400В
Струм стока 0,17А
Потужність розсіювання 1,8Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 25Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat