BSP129H6327XTSA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSP129H6327XTSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,05А; 1,8Вт; SOT223

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SIPMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 240В
Струм стока 50мА
Потужність розсіювання 1,8Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6,5Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збіднений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat