BSC190N15NS3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSC190N15NS3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 150В
Струм стока 50А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус PG-TSDSON-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 19мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ 3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat