BSC080N03MSGATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSC080N03MSGATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 53А
Потужність розсіювання 35Вт
Корпус PG-TDSON-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 8мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat