BSC030P03NS3GAUMA1 - Транзистори з каналом P SMD

BSC030P03NS3GAUMA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -100А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус PG-TDSON-8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 3мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ P3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat