BJN100-NDT-P - Стандартні фотоелектричні датчики

BJN100-NDT-P
Опис

Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0,07÷0,13м; PNP; на відбиття

Характеристики
Виробник AUTONICS
Тип датчика фотоелектричний
Спосіб спрацювання на відбиття
Конфігурація виходу PNP
Напруга живлення 12...24В DC
Робоча температура -25...55°C
Серія виробника BJ
Властивості датчиків виявляють прозорі об'єкти
регулювання чутливості
Підключення дроти
Дальність 0,07...0,13м
Час реакції <1мс
Зовнішні розміри 10,6x32x20мм
Струм робочий макс. 0,1А
Довжина відводів
Матеріал корпусу пластик
Режими роботи датчика DARK-ON
LIGHT-ON
Клас герметичності IP65
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat