Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-4
| Виробник |
BASiC SEMICONDUCTOR |
| Вид упаковки |
туба |
| Час ввімкнення |
54нс |
| Заряд затвора |
308нКл |
| Час вимкнення |
476нс |
| Напруга затвор - емітер |
±20В |
| Струм колектора |
50А |
| Струм колектора в імпульсі |
200А |
| Потужність розсіювання |
357Вт |
| Напруги колектор-емітер |
650В |
| Технологія |
Field Stop SiC SBD Trench |
| Тип транзистора |
IGBT |
| Властивості напівпровідникових елементів |
integrated anti-parallel diode |
| Корпус |
TO247-4 |
| Монтаж |
THT |