Додано в корзину
Переглянути корзину
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
| Виробник |
BASiC SEMICONDUCTOR |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Технологія |
SiC |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
1,2кВ |
| Струм стока |
45А |
| Струм стоку в імпульсі |
124А |
| Потужність розсіювання |
312Вт |
| Корпус |
TO247-3 |
| Напруга затвор-джерело |
-4...18В |
| Опір в стані провідності |
40мОм |
| Монтаж |
THT |
| Заряд затвора |
85нКл |
| Вид упаковки |
туба |
| Вид каналу |
збагачений |