Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
| Виробник |
BASiC SEMICONDUCTOR |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
1,2кВ |
| Струм стока |
60А |
| Струм стоку в імпульсі |
190А |
| Потужність розсіювання |
375Вт |
| Корпус |
TO247PLUS-4 |
| Напруга затвор-джерело |
-4...18В |
| Опір в стані провідності |
50мОм |
| Монтаж |
THT |
| Вид упаковки |
туба |
| Вид каналу |
збагачений |
| Заряд затвора |
40нКл |
| Властивості напівпровідникових елементів |
виведення Кельвіна |
| Технологія |
SiC |