AS7C1026B-12JIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS7C1026B-12JIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
асинхронна
Пам'ять 1Мб SRAM
Структура пам'яті 64Кx16бит
Робоча напруга
Час доступу 12нс
Корпус SOJ44
Монтаж SMD
Робоча температура -40...85°C
Ширіна мікросхеми 400mils
Властивості інтегральних мікросхем fast
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat