AS6CE4016B-45ZIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS6CE4016B-45ZIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TSOP44 II

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Робоча напруга 2,7...3,6В
Монтаж SMD
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Час доступу 45с
Ширіна мікросхеми 400mils
Пам'ять 4Мб SRAM
Структура пам'яті 256Кx16бит
Властивості інтегральних мікросхем LPC
Вид упаковки лоток
Корпус TSOP44 II
Вид пам’яті SRAM
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat