AS6C1008-55TIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS6C1008-55TIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
асинхронна
Пам'ять 1Мб SRAM
Структура пам'яті 128Кx8бит
Робоча напруга 2,7...5,5В
Час доступу 55нс
Корпус TSOP32
Тип інтерфейсу паралельний
Монтаж SMD
Властивості інтегральних мікросхем LPC
Робоча температура -40...85°C
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat