AOSP21357 - Транзистори з каналом P SMD

AOSP21357
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -12,5А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 8,5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 25нКл
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat