AOKS40B65H2AL - Транзистори IGBT THT

AOKS40B65H2AL
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвикл: 0,54мДж

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж THT
Напруга насичення кол.-емітер 2,05В
Струм колектора 40А
Струм колектора в імпульсі 120А
Потужність розсіювання 105Вт
Напруга затвор - емітер ±30В
Напруги колектор-емітер 650В
Тип транзистора IGBT
Корпус TO247
Вид упаковки туба
Заряд затвора 61нКл
Час ввімкнення 64нс
Час вимкнення 151нс
Енергія виключення 0,54мДж
Енергія включення 1,17мДж
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat