AOD5B65N1 - Транзистори IGBT SMD

AOD5B65N1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Тип транзистора IGBT
Монтаж SMD
Заряд затвора 9,2нКл
Час ввімкнення 23нс
Час вимкнення 114нс
Енергія виключення 0,049мДж
Енергія включення 0,081мДж
Напруга насичення кол.-емітер 2,5В
Струм колектора
Струм колектора в імпульсі 15А
Напруга затвор - емітер ±30В
Потужність розсіювання 21Вт
Напруги колектор-емітер 650В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус TO252
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat