AO3160E - Транзистори з каналом N SMD

AO3160E
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3; ESD

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 30мА
Потужність розсіювання 0,89Вт
Корпус SOT23A-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 500Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 0,9нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat