2SC0435T2F1-17 - Модулі IGBT

2SC0435T2F1-17
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: POWER INTEGRATIONS
  • Назва у виробника: 2SC0435T2F1-17
Опис

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Характеристики
Виробник POWER INTEGRATIONS
Технологія SCALE™-2+
Монтаж планка штирова
Вид виходу драйвер IGBT
Властивості інтегральних мікросхем гальванічне відокремлення
інтегрований перетворювач DC/DC
Робоча температура -40...85°C
Напруга живлення 14,5...15,5В DC
Вихідний струм 35А
Частота 0,1МГц
клас напруги 1,7кВ
Топологія півмісток IGBT
півмісток MOSFET
Тип напівпровідникового модуля gate driver board
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat