2ED020I12-FI - Драйвери MOSFET/IGBT

2ED020I12-FI
Опис

IC: driver; півмісток IGBT; high-side,контролер затворів IGBT

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид об'єднаної схеми high-side
контролер затворів IGBT
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
вбудований компаратор
вбудований операційний підсилювач
Топологія півмісток IGBT
Монтаж SMD
Захист мінімальна напруга UVP
Вихідний струм -2...1А
Напруга живлення 0...5В
14...18В
Кількість каналів 2
клас напруги 1,2кВ
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус PG-DSO-18
Тип інтегральної мікросхеми driver
Технологія EiceDRIVER™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat