12N65-LGE - Транзистори з каналом N THT

12N65-LGE
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F

Характеристики
Виробник LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 50,5нКл
Опір в стані провідності 0,54Ом
Струм стока 12А
Напруга затвор-джерело ±30В
Потужність розсіювання 33,2Вт
Напруга сток-джерело 650В
Корпус TO220F
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat